Cible de pulvérisation en titanelivraison au client le 13 décembre
Nom du produit Cible ronde en titane
Classe Gr1 Gr2 Gr3 Gr5 (Ti6al4v)
Cible standard en titane : conditions techniques : conforme à la norme ASTM B34897
Cible de plaque en titane : conditions techniques : conforme à la norme ASTM B265-93
Spécification : spécification commune : 60/65/95/100 * 30/32/40/45mm
Plaque cible : (8-25mm * (150-300) mm * (1000-2500) mm
Cible de tube : 70 mm * 7 mm/10 mm
Le polissage de surface peut être fileté
Caractéristiques : léger, excellente résistance à la corrosion, résistance à la corrosion, haute résistance, bonne résistance à la chaleur, bonne ductilité, non toxique, non magnétique, excellente résistance mécanique, etc.
État État de recuit (M) État de travail à chaud (R) État de travail à froid (Y) (recuit, détection de défauts par ultrasons)
Applications : utilisé dans les dispositifs de séparation des semi-conducteurs, les écrans plats, les films d'électrodes de stockage, les revêtements de pulvérisation, les revêtements de surface des pièces, l'industrie du revêtement de verre
La pureté est l'un des principaux indicateurs de performance des cibles en titane car la pureté de la cible a un impact important sur les performances du film. Cependant, dans les applications pratiques, les exigences relatives à la pureté de la cible sont également différentes. Les puces en silicium varient désormais en taille de 6 pouces à 8 pouces à 12 pouces, et les largeurs de câblage ont diminué de 0.5 um à 0.25 um, 0.18 um, ou même 0.13 um, grâce aux progrès rapides de l'industrie de la microélectronique. Auparavant, 99,995 % de la pureté cible peut répondre aux exigences du processus de 0.35 um IC, tandis que 99,999 % ou même 99,9999 % de la pureté cible sont nécessaires pour la préparation de 0.18 lignes um .
Les principales sources de pollution des films déposés sont les impuretés dans le solide cible et l'oxygène et la vapeur d'eau dans les pores. Différents matériaux cibles ont des exigences différentes pour différentes teneurs en impuretés. Par exemple, les cibles en aluminium pur et en alliage d'aluminium utilisées dans l'industrie des semi-conducteurs ont des exigences particulières en matière de teneur en métaux alcalins et en éléments radioactifs.
La cible doit généralement avoir une densité élevée afin de diminuer la porosité dans le solide cible et d'améliorer les performances du film pulvérisé. Les caractéristiques électriques et optiques du film sont également impactées par la densité cible en plus du taux de pulvérisation. Plus la densité cible est élevée, plus le film est performant. De plus, la cible peut mieux survivre au stress thermique pendant le processus de pulvérisation en devenant plus dense et plus résistante. La densité est également l'un des indicateurs clés de performance de la cible.
